GaP
Qallium fosfidi (GaP) kristalı yaxşı səth sərtliyinə, yüksək istilik keçiriciliyinə və geniş zolaqlı ötürücülüyə malik infraqırmızı optik materialdır.Mükəmməl hərtərəfli optik, mexaniki və istilik xüsusiyyətlərinə görə GaP kristalları hərbi və digər kommersiya yüksək texnologiyalı sahədə tətbiq oluna bilər.
| Əsas Xüsusiyyətlər | |
| Kristal quruluş | Sink Qarışığı |
| Simmetriya qrupu | Td2-F43m |
| 1 sm-də atomların sayı3 | 4.94·1022 |
| Auger rekombinasiya əmsalı | 10-30sm6/s |
| Debye temperaturu | 445 K |
| Sıxlıq | 4,14 q sm-3 |
| Dielektrik sabit (statik) | 11.1 |
| Dielektrik sabit (yüksək tezlik) | 9.11 |
| Effektiv elektron kütləsiml | 1.12mo |
| Effektiv elektron kütləsimt | 0.22mo |
| Effektiv çuxur kütlələrimh | 0.79mo |
| Effektiv çuxur kütlələrimlp | 0.14mo |
| Elektron yaxınlığı | 3,8 eV |
| Şəbəkə sabiti | 5.4505 A |
| Optik fonon enerjisi | 0.051 |
| Texniki parametrlər | |
| Hər bir komponentin qalınlığı | 0,002 və 3 +/-10%mm |
| Orientasiya | 110 - 110 |
| Səth keyfiyyəti | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| Yastılıq | 633 nm-də dalğalar - 1 |
| Paralellik | qövs min < 3 |
